Photoemission Study of Metal/High-k Dielectric Gate Stack,
Photoemission Study of Metal/High-k Dielectric Gate Stack,
复制标题
金属/高 k 电介质栅堆叠的光电研究，
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R;Yougauchi;K. Makihara;大田 晃生;門島 勝;三浦 真嗣;奥山 一樹;大田 晃生;大田 晃生;大田 晃生;A. Ohta;Akio Ohta;A. Ohta;S. Miyazaki
P 掺杂 a-Si:H 中的指数导带尾部。
影响因子：
8.6
作者：
Winer;Hirabayashi;Ley
通讯作者：
Ley