Fast spin relaxation in InGaN/GaN multiple quantum wells
Fast spin relaxation in InGaN/GaN multiple quantum wells
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InGaN/GaN 多量子阱中的快速自旋弛豫
DOI：
10.1002/pssb.200565271
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Brown J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Brown J
我们报告了使用飞秒圆极化泵浦探测光谱测量InGaN多量子阱（MQW）中的快速自旋弛豫。这些揭示了自旋极化中的量子拍，这是由1.6 meV精细结构的激子能级分裂引起的。我们将这种分裂归因于所研究的窄量子阱中的交换相互作用。5k自旋相干时间测量为450fs，该值在50k时减少了大约2倍。（©2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim）
We report measurements of a fast spin relaxation in InGaN multi‐quantum wells (MQW) using femtosecond circularly polarised pump–probe spectroscopy. These reveal quantum beats in the spin polarisation arising from a 1.6 meV fine structure splitting of the excitonic levels. We attribute this splitting to exchange interactions in the narrow quantum wells studied. The 5 K spin coherence time was measured to be 450 fs, a value which decreases by a factor of approximately two by 50 K. (© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
量子点集合中相干和非相干自旋极化的动力学。
影响因子：
8.6
作者：
A. Tartakovskii;J. Cahill;M. N. Makhonin;D. Whittaker;J. Wells;A. M. Fox;D. Mowbray;M. S. Skolnick;K. Groom;M. Steer;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson
影响因子：
3.7
作者：
Yugova, IA;Gerlovin, IY;Masumoto, Y
通讯作者：
Masumoto, Y
InGaN 中没有载流子自旋极化
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;A. Shikanai;T. Sota;A. Kuramata;K. Domen
通讯作者：
K. Domen