Direct Growth of van der Waals Tin Diiodide Monolayers.
Direct Growth of van der Waals Tin Diiodide Monolayers.
复制标题
范德华二碘化锡单层膜的直接生长
DOI：
10.1002/advs.202100009
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发表时间：
2021-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li SC
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan QQ;Zheng F;Shi ZQ;Li QY;Lv YY;Chen Y;Zhang P;Li SC
二维（2D）货车德瓦耳斯（vdW）材料因其独特的性质和在纳米电子/光电子、太阳能和催化等广泛领域的潜力而引起了相当大的关注。与此同时，实现高性能器件的方法所面临的挑战仍然激励着人们寻找具有宝贵特性的新型2D vdW材料。在这项研究中，通过分子束外延，第一次，VDW SnI 2单层成功地制造了一种新的结构。扫描隧道显微镜/光谱表征，证实了密度泛函理论计算，表明该SnI 2单层在可见紫色范围内表现出的带隙为2.9 eV，并且在SnI 2双层中发生了间接到直接的带隙转变。这项研究提供了一种新的半导体2D材料，有望成为未来电子/光电子学的基石。高性能器件的巨大应用潜力和挑战激发了对新型二维（2D）货车范德华（vdW）材料的研究。采用分子束外延技术，成功地制备了具有新结构的vdW SnI 2单层膜。这种SnI 2单层是一种具有厚度依赖性的2D半导体，有望成为未来电子学/光电子学的构建块。
Two‐dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials have garnered considerable attention for their unique properties and potentials in a wide range of fields, which include nano‐electronics/optoelectronics, solar energy, and catalysis. Meanwhile, challenges in the approaches toward achieving high‐performance devices still inspire the search for new 2D vdW materials with precious properties. In this study, via molecular beam epitaxy, for the first time, the vdW SnI2 monolayer is successfully fabricated with a new structure. Scanning tunneling microscopy/spectroscopy characterization, as corroborated by the density functional theory calculation, indicates that this SnI2 monolayer exhibits a band gap of ≈2.9 eV in the visible purple range, and an indirect‐ to direct‐band gap transition occurs in the SnI2 bilayer. This study provides a new semiconducting 2D material that is promising as a building block in future electronics/optoelectronics. The great application potentials and challenges in high‐performance devices inspire the search for new two‐dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials. Via molecular beam epitaxy, the vdW SnI2 monolayer is successfully fabricated with a new structure. This SnI2 monolayer is a 2D semiconductor with thickness‐dependent properties, which is promising as a building block in future electronics/optoelectronics.
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影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
3.7
作者：
Ibarra-Sierra, V. G.;Sandoval-Santana, J. C.;Kunold, A.
通讯作者：
Kunold, A.
影响因子：
41.2
作者：
Geim, A. K.;Novoselov, K. S.
通讯作者：
Novoselov, K. S.
DOI：
10.1016/0378-4363(80)90246-6
发表时间：
1980-01-01
期刊：
PHYSICA B & C
影响因子：
--
作者：
DONI, E;GROSSO, G;LADIANA, I
通讯作者：
LADIANA, I