Long-lived spin coherence in silicon with an electrical spin trap readout.
Long-lived spin coherence in silicon with an electrical spin trap readout.
复制标题
硅中的长寿命自旋相干性具有电自旋陷阱读数。
DOI：
10.1103/physrevlett.101.207602
复制
发表时间：
2008
影响因子：
8.6
通讯作者：
Morley GW
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Morley GW
本文介绍了在极强磁场（）和低温（）条件下，体硅中磷（）的脉冲电探测磁共振。我们发现，自旋相关的捕获和再发射的高度极化（<?format ?> ><?format ?> 95%）的传导电子通过同样高度极化的施主电子引入比用于自旋-电荷转换的其他机制更少的退相干。这允许电检测的自旋相干时间超过，50倍以上的电检测的自旋读出实验的先前的最大值。
Pulsed electrically detected magnetic resonance of phosphorous () in bulk crystalline silicon at very high magnetic fields () and low temperatures () is presented. We find that the spin-dependent capture and reemission of highly polarized (<?format ?>><?format ?>95%) conduction electrons by equally highly polarizeddonor electrons introduces less decoherence than other mechanisms for spin-to-charge conversion. This allows the electrical detection of spin coherence times in excess of, 50 times longer than the previous maximum for electrically detected spin readout experiments.
登录
查看更多内容
影响因子：
8.6
作者：
GORDON, JP;BOWERS, KD
通讯作者：
BOWERS, KD
通过硅中磷供体的电荷传输中的自旋回波。
影响因子：
8.6
作者：
H. Huebl;F. Hoehne;Benno Grolik;A. Stegner;M. Stutzmann;M. Brandt
通讯作者：
M. Brandt
特定电子和核自旋态供体的光学检测和电离。
影响因子：
8.6
作者：
A. Yang;M. Steger;Denis Karaiskaj;M. Thewalt;Manuel Cardona;Kohei M. Itoh;Helge Riemann;Nikolay V. Abrosimov;M. F. Churbanov;A. Gusev;A. D. Bulanov;A. K. Kaliteevskiĭ;O. N. Godisov;P. Becker;H. Pohl;J. Ager;E. E. Haller
通讯作者：
E. E. Haller
高磁场下晶体 Si-SiO2 界面的自旋相关过程
影响因子：
3.7
作者：
D. McCamey;Gavin W. Morley;H. Seipel;L. Brunel;J. Tol;C. Boehme
通讯作者：
C. Boehme
硅中的浅施主负离子和自旋极化电子传输
DOI：
--
发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Thornton;A. Honig
通讯作者：
A. Honig