Design of GaN tri-gate HEMTs
Design of GaN tri-gate HEMTs
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GaN三栅HEMT的设计
DOI：
10.1109/asdam.2014.6998657
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Schwierz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Alsharef;R. Granzner;E. Ture;R. Quay;J. Racko;J. Breza;F. Schwierz
鳍片和岛隔离的 AlGaN/GaN HFET
影响因子：
3.1
作者：
P. Valizadeh;B. AlOtaibi
通讯作者：
B. AlOtaibi
影响因子：
20.6
作者：
Mishra, Umesh K.;Shen, Likun;Wu, Yi-Feng
通讯作者：
Wu, Yi-Feng
多台面通道 AlGaN/GaN HEMT 的可控性和稳定性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Kota Ohi;Tamotsu Hashizume;河野泰宏;大井幸多;河野泰宏;大井幸多;河野泰宏;Kota Ohi;河野泰宏;Kota Ohi;Yasuhiro Kohno;大井幸多;Yasuhiro Kohno;Kota Ohi;Yasuhiro Kohno;大井幸多;Kota Ohi;Yasuhiro Kohno;河野泰宏;Kota Ohi;大井幸多;河野泰宏;大井幸多
通讯作者：
大井幸多