Photoluminescence from defects in GaN
Photoluminescence from defects in GaN
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GaN 缺陷的光致发光
DOI：
10.1117/12.2645878
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Reshchikov, Michael A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Reshchikov, Michael A.
本文介绍了GaN光致发光（PL）研究的最新结果，GaN中缺陷的分类及其性质。特别是，黄色的发光带（标记为YL 1），在2.17 eV的最大值在未掺杂的GaN生长的最常见的技术是明确归因于隔离的CN受体。从2.59 eV的零声子线（ZPL），发现这个受体的−/0能级在价带以上0.916 eV。PL还揭示了在价带上方0.33 eV处的CN的0/+能级，其负责蓝带（BLC），ZPL在3.17 eV处。另一个黄色带（YL 2），最大值为2.3 eV，仅在通过氨法生长的GaN中观察到，归因于VGa 3 H络合物。氮空位（VN）导致绿色发光（GL 2）带。VN还与诸如Mg、Be和Ca的受体形成络合物。这些复合物是负责红色发光带（RL 2家族）在高电阻率GaN。PL研究的结果与理论预测进行了比较。讨论了缺陷参数的不确定性。
We present the most recent results of photoluminescence (PL) studies, classification of defects in GaN and their properties. In particular, the yellow luminescence band (labeled YL1) with a maximum at 2.17 eV in undoped GaN grown by most common techniques is unambiguously attributed to the isolated CNacceptor. From the Zero-Phonon Line (ZPL) at 2.59 eV, the −/0 level of this acceptor is found at 0.916 eV above the valence band. The PL also reveals the 0/+ level of the CN at 0.33 eV above the valence band, which is responsible for the blue band (BLC), with the ZPL at 3.17 eV. Another yellow band (YL2) with a maximum at 2.3 eV, observed only in GaN grown by the ammonothermal method, is attributed to the VGa3H complex. The nitrogen vacancy (VN) causes the green luminescence (GL2) band. The VN also forms complexes with acceptors such as Mg, Be, and Ca. These complexes are responsible for the red luminescence bands (the RL2 family) in high-resistivity GaN. The results from PL studies are compared with theoretical predictions. Uncertainties in the parameters of defects are discussed.
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