Normally‐Off Operation of Lateral Field‐Effect Transistors Fabricated from Ultrapure GaN/AlGaN Heterostructures
Normally‐Off Operation of Lateral Field‐Effect Transistors Fabricated from Ultrapure GaN/AlGaN Heterostructures
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由超纯 GaN/AlGaN 异质结构制成的横向场效应晶体管的常关操作
DOI：
10.1002/pssa.201900732
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Mikolajick
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Schmult;S. Wirth;V.V. Solovyev;R. Hentschel;A. Wachowiak;T. Scheinert;A. Großer;I.V. Kukushkin;T. Mikolajick
发现具有低铝摩尔分数的GaN/AlxGa 1-xN异质结构中的2D电子气（2DEG）的存在取决于GaN/AlGaN层堆叠中的残余背景杂质浓度。在2 × 1016 cm −3的残余施主能级下，在300 K的黑暗环境中不存在2DEG。这种2DEG可以通过用紫外光照射或通过施加静电势在GaN/AlGaN界面处产生。后者导致横向场效应晶体管的固有常关开关特性。
The presence of a 2D electron gas (2DEG) in GaN/AlxGa1–xN heterostructures with low aluminum mole fraction is found to depend on the residual background impurity concentration in the GaN/AlGaN layer stack. At a residual donor level of 2 × 1016cm−3, a 2DEG is absent at 300 K in dark environment. Such a 2DEG can be generated at the GaN/AlGaN interface either by illumination with ultraviolet light or by applying an electrostatic potential. The latter results in inherently normally‐off switching characteristics of lateral field‐effect transistors.
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