Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb
Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb
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窄带隙半导体InSb的弱场磁阻
DOI：
10.1063/1.3559900
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发表时间：
2010-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Yang, K. H. Gao, Y. H. Zhang, P. P. Chen*, G. Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Yang, K. H. Gao, Y. H. Zhang, P. P. Chen*, G. Y
研究了InSb薄膜在垂直和倾斜磁场中的弱反局域化效应。结果表明，InSb薄膜具有准二维特征，退相干机制主要为奈奎斯特机制。通过系统研究弱场磁电阻随磁场的各向异性，进一步验证了弱反定域效应的二维性，并研究了粗糙效应和塞曼效应对弱反定域效应的影响。研究还发现，面内场的存在可以有效地抑制InSb薄膜的弱反局域化效应，而粗糙度效应对InSb薄膜的各向异性起着重要的作用。
The weak antilocalization effect of InSb film in perpendicular as well as tilted magnetic field is investigated. It is found that the InSb film has quasi-two-dimensional feature and the Nyquist mechanism dominates decoherence. The two dimensionality is also verified further and the influence of roughness effect and Zeeman effect on weak antilocalization effect is studied by systematically investigating the anisotropy of weak field magnetoresistance with respect to magnetic field. It is also found that the existence of in-plane field can effectively suppress the weak antilocalization effect of InSb film and the roughness effect plays an important role in the anisotropy.
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