Electronic structure of [110] Si‐Ge thin‐layer superlattices
Electronic structure of [110] Si‐Ge thin‐layer superlattices
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[110]Si-Ge薄层超晶格的电子结构
DOI：
10.1063/1.101100
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发表时间：
1989
影响因子：
4
通讯作者：
A. Zunger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Froyen;D. Wood;A. Zunger
对在（110）Si衬底上外延生长的SinGen超晶格（n= 4，6和8）的第一原理电子结构计算显示，尽管其组分具有明显的间接性，但其带隙几乎是直接的（n=4时在± 0.04 eV内）。这与在[001]方向上生长的超晶格不同，当在Si上生长时，超晶格是间接的，并且仅在具有较大晶格常数的衬底上准直接生长，例如，GE.最低能量直接跃迁的跃迁偶极矩阵元对于所有重复周期n为零，但对于其他几个新的低能跃迁为有限。
First‐principles electronic structure calculations for SinGen superlattices ( for n=4, 6, and 8) grown epitaxially on a (110) Si substrate reveal a nearly direct band gap (to within ≊0.04 eV for n=4) despite the pronounced indirectness of its constituents. This is unlike superlattices grown in the [001] direction which are indirect when grown on Si and quasi‐direct only on substrates with larger lattice constants, e.g., Ge. Transition dipole matrix elements for the lowest energy direct transition vanish for all repeat periods n but are finite for several other new low‐energy transitions.
影响因子：
--
作者：
POLLAK, FH;CARDONA, M
通讯作者：
CARDONA, M