Characterization of the effective mobility by split C-V technique in MoS2 MOSFETs with high-k/metal gate
Characterization of the effective mobility by split C-V technique in MoS2 MOSFETs with high-k/metal gate
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通过分离 C-V 技术表征具有高 k/金属栅极的 MoS2 MOSFET 的有效迁移率
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Mori;Naruki Ninomiya;Toshitaka Kubo;Noriyuki Uchida;Eiichiro Watanabe;Daiju Tsuya;Satoshi Moriyama;Masatoshi Tanaka;and Atsushi Ando
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures. Proceedings
影响因子：
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作者：
E. Vincent;G. Ghibaudo;G. Morin;C. Papadas
通讯作者：
C. Papadas