Optical Quality Dependence on Growth Rate for Solid-Source MBE Grown Highly-Strained GaInAsSb/GaAs QWs
Optical Quality Dependence on Growth Rate for Solid-Source MBE Grown Highly-Strained GaInAsSb/GaAs QWs
复制标题
固体源 MBE 生长的高应变 GaInAsSb/GaAs 量子阱的光学质量对生长速率的依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Fumio Koyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masataka Ohta;Tomoyuki Miyamoto;Tetsuya Matsuura;Yasutaka Matsui;Tatsuya Furuhata;Fumio Koyama
使用 1.2 μm 波段 GaInAs/GaAs 表面发射激光器的单模光纤传输
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Electron.Lett. vol.38 no.16
影响因子：
--
作者：
V.G.Moshnyaga;T.Migita;Eric Gouardes;E.Ito;篠崎 彰彦;Takeru Amano;長野 良浩 他;H. Hasebe;Y.Hosoi;許 容碩 他;Masakazu Arai;D.Yoshimura;Toru Miura;T. Yagi;M. Kasahara;T.Yokoyama;T.Okajima;Takashi Kondo
通讯作者：
Takashi Kondo
高性能 1.3 µm InGaAs 垂直腔表面发射激光器
影响因子：
1.1
作者：
P. Sundgren;R. M. V. Würtemberg;J. Berggren;M. Hammar;M. Ghisoni;V. Oscarsson;E. Odling;J. Malmquist
通讯作者：
J. Malmquist