Manipulating leakage behavior via distribution of interfaces in oxide thin films
Manipulating leakage behavior via distribution of interfaces in oxide thin films
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通过氧化物薄膜中的界面分布控制泄漏行为
DOI：
10.1063/1.4893778
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发表时间：
2014-08
影响因子：
4
通讯作者：
Hao Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Liang;Rujun Tang;Haiyan Wang;Hao Yang
垂直界面已被证实能够有效地操纵氧化物薄膜中的导电行为。然而，需要进行系统的研究，以了解界面效应背后的物理过程。在这里，外延（BiFeO3）0.5：（Sm2O3）0.5薄膜已被制造并用作模型系统。研究了在（001）和（011）SrTiO_3衬底上制备的（BiFe_3）_（0.5）：（Sm_2O_3）_（0.5）复合薄膜的微结构和漏电行为。不同的衬底取向起源于复合膜中不同的界面几何构型。当氧化物薄膜中复杂的界面分布导致较长的导电路径时，漏电流会显著降低，本文的工作提供了一种降低漏电流的方法，并进一步了解了氧化物薄膜中界面对导电行为的贡献。
Vertical interfaces have been approved to be able to effectively manipulate conduction behavior in oxide thin films. However, a systematic investigation is needed to understand the physical process underlying the interface effects. Here, epitaxial (BiFeO3)0.5:(Sm2O3)0.5 thin films have been fabricated and used as a model system. The microstructure and leakage behavior of (BiFeO3)0.5:(Sm2O3)0.5 composite films on (001) and (011) SrTiO3 substrates have been investigated. The different substrate orientation originated to different geometrical configurations of interfaces in the composite films. The leakage current has been significantly reduced when the complicated distribution of interfaces leads to a longer distance of conduction path. The present work represented an approach to reduce the leakage current and to further understand the way that how the interface contributes to the conduction behavior in oxide thin films.
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