Composition-Dependent Growth Dynamics of InGaAs Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
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选择性区域金属有机气相外延中 InGaAs 纳米线的成分依赖性生长动力学
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshinori Kohashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
京大工林徳樺(現クボタ);阪大接合研伊藤和博;小濱和之;神鋼リサーチ大西隆;京大工白井泰治;立命館村上正紀;Hiroaki Kato;Yoshinori Kohashi
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MOVPE、MBE、VPE 手工 ALE 生长的合金半导体固体成分
影响因子：
1.8
作者：
H. Seki;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
通过选择性区域 MOVPE 在 GaAs(111)B 上形成的 InGaAs 纳米线的生长和表征
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
M.Yoshimura;K.Tomioka;K.Hiruma;S.Hara;J.Motohisa;T.Fukui
通讯作者：
T.Fukui
MOVPE生长过程的热力学分析
影响因子：
1.8
作者：
A. Koukitu;Takeyuki Suzuki;H. Seki
通讯作者：
H. Seki
影响因子：
4
作者：
Dorenbos, S. N.;Sasakura, H.;Suemune, I.
通讯作者：
Suemune, I.
影响因子：
1.8
作者：
M. Yoshimura;K. Tomioka;K. Hiruma;S. Hara;J. Motohisa;T. Fukui
通讯作者：
M. Yoshimura;K. Tomioka;K. Hiruma;S. Hara;J. Motohisa;T. Fukui