Growth and Characterization of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selecrive-Area MOVPE
Growth and Characterization of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selecrive-Area MOVPE
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通过选择性区域 MOVPE 在 GaAs(111)B 上形成的 InGaAs 纳米线的生长和表征
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Yoshimura;K.Tomioka;K.Hiruma;S.Hara;J.Motohisa;T.Fukui
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影响因子：
3.5
作者：
M. Akabori;J. Takeda;J. Motohisa;T. Fukui
通讯作者：
M. Akabori;J. Takeda;J. Motohisa;T. Fukui
采用选择性区域金属有机气相外延法表征 In Ga As 纳米线顶栅场效应晶体管的电学特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Japan Journal of Applied Physics 46
影响因子：
--
作者：
Jinichiro Noborisaka;Takuya Sato;Junichi Motohisa;Shinjiro Hara and Takashi Fukui
通讯作者：
Shinjiro Hara and Takashi Fukui
影响因子：
4
作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
通讯作者：
J. Noborisaka;J. Motohisa;S. Hara;Takashi Fukui
影响因子：
10.8
作者：
Tomioka, Katsuhiro;Motohisa, Junichi;Fukui, Takashi
通讯作者：
Fukui, Takashi
影响因子：
1.8
作者：
Takuya Sato;Yasunori Kobayashi;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
通讯作者：
Takuya Sato;Yasunori Kobayashi;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui