Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers
Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers
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a 面取向 GaN 层中具有优先取向的错误取向晶粒
作者：
Tokumoto;Y ; Lee;HJ ; Ohno;Y ; Yao;T ; Yonenaga;I
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制造无应变和无裂纹 GaN 自支撑模板的新方法：在首选方向转变过程中自发形成的空隙辅助自分离
影响因子：
1.8
作者：
Hyun;T. Goto;K. Fujii;T. Yao;Chinkyo Kim;Jiho Chang
通讯作者：
Jiho Chang
GaN Σ 18 倾斜晶界的原子模拟和 HRTEM 观察
DOI：
10.1002/pssa.200461419
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Kioseoglou;A. Béré;P. Komninou;G. Dimitrakopulos;G. Nouet;E. Iliopoulos;A. Serra;T. Karakostas
通讯作者：
T. Karakostas
r 面蓝宝石衬底上生长的 GaN 域的择优取向自发跃迁从 [112´0] 到 [0001]
影响因子：
4
作者：
Hyun;J. Ha;T. Goto;T. Yao;Chinkyo Kim;Soon;Jiho Chang
通讯作者：
Jiho Chang
影响因子：
3.7
作者：
Bernardini, F;Fiorentini, V;Vanderbilt, D
通讯作者：
Vanderbilt, D