Temperature-Dependence of Static Magnetic Properties of FeGa Thin Film Fabricated by Pulsed Laser Deposition
Temperature-Dependence of Static Magnetic Properties of FeGa Thin Film Fabricated by Pulsed Laser Deposition
复制标题
脉冲激光沉积法制备 FeGa 薄膜静磁性能的温度依赖性
DOI：
10.1134/s0031918x19070123
复制
发表时间：
2019-07
影响因子：
1.2
通讯作者：
Shi Wang Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yi;Turghun Mutellip;Huang Chao Juan;Wang Tao;Wang FeiFei;Shi Wang Zhou
采用脉冲激光沉积方法，在不同温度下在（100）取向GaAs和（001）取向Si衬底上沉积了FeGa薄膜。结果表明，在不同的衬底温度下，FeGa薄膜的磁性能发生了很大的变化，这主要取决于不同的晶体结构。x射线衍射分析表明，该材料存在由d03有序晶粒相和bcc α-Fe晶体结构（A2）组成的结构。当GaAs衬底温度为400℃和600℃时，观察到FeGa（001）方向的衍射峰对应于d03有序颗粒相。在800℃时出现了bcc A2结构（110）方向的衍射峰。然而，在Si衬底上的FeGa薄膜没有表现出明显的结构变化。磁性能的变化主要是由于粗糙度的变化和FeGa与Si晶格的失配
FeGa thin films have been deposited onto (100)-oriented GaAs and (001)-oriented Si substrates at different temperatures by pulsed laser deposition. It has been shown that at different substrate temperatures, magnetic properties of FeGa films greatly change, which is mainly dependent on different crystal textures. The presence of the structure consisting of D03-ordered grain phase and bcc α-Fe crystal structure (A2) has been revealed using X-ray diffraction analysis. The diffraction peak of FeGa (001) direction, which corresponds to the D03-ordered granular phase, was observed when the temperatures of the GaAs substrate were 400 and 600°C. The diffraction peak that corresponds to (110) direction of the bcc A2 structure has appeared at 800°C. However, the FeGa film on the Si substrate did not demonstrate any obvious structural change. The changes in the magnetic properties can be mainly attributed to changes in the roughness and the lattice mismatch between FeGa and Si.
登录
查看更多内容
Fe75.5Cu1Nb3Si13.5B7带材/FeGa薄膜复合材料中的巨磁阻抗效应
影响因子：
2.7
作者：
Zhang Yi;Gan Tao;Wang Tao;Wang Feifei;Shi Wangzhou
通讯作者：
Shi Wangzhou
Ho掺杂对TbDyFe合金显微组织和磁致伸缩的影响
DOI：
10.1016/s1002-0721(08)60210-0
发表时间：
2009-02
期刊：
中国稀土学报(英文版)
影响因子：
--
作者：
Liu Xinyu;Jiang Minhong;Gu Zhengfei;Cheng Gang
通讯作者：
Cheng Gang
缓冲层和外应力对柔性FeGa薄膜磁性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
Zhang, Xiaoshan;Zhan, Qingfeng;Li, Run-Wei
通讯作者：
Li, Run-Wei
脉冲激光沉积单晶(100)GaAs和(001)Si基片磁致伸缩FeGa薄膜的结构和磁性能
DOI：
10.1007/s40195-017-0686-0
发表时间：
2018
期刊：
Acta Metallurgica Sinica (English Letters)
影响因子：
--
作者：
Zhang Yi;Turghun Mutellip;Huang Chaojuan;Wang Tao;Wang Feifei;Shi Wangzhou
通讯作者：
Shi Wangzhou
影响因子：
2.1
作者：
M. Wagner-Reetz;R. Cardoso‐Gil;Y. Grin
通讯作者：
M. Wagner-Reetz;R. Cardoso‐Gil;Y. Grin