Investigation of polymer/inorganic hybrid photovoltaic device using quantum dots as the interface modifier
Investigation of polymer/inorganic hybrid photovoltaic device using quantum dots as the interface modifier
复制标题
使用量子点作为界面改性剂的聚合物/无机混合光伏器件的研究
DOI：
10.1007/s00339-013-8128-y
复制
发表时间：
2014-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
汪竞阳
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
汪竞阳
在聚3-己基噻吩（P3 HT）/TiO 2纳米棒阵列杂化光伏器件中引入CdS量子点作为界面改性剂。CdS量子点的存在增强了光吸收，增加了P3 HT/TiO 2界面的界面复合电阻，从而降低了P3 HT/CdS/TiO 2中电子的复合速率，这是由于P3 HT/CdS/TiO 2中带边的阶梯结构，这解释了观察到的增强的光电流和光电压的混合太阳能电池。P3 HT/CdS/TiO 2杂化太阳能电池在沉积CdS量子点10次循环后性能达到最佳，功率转换效率为0.57%，比P3 HT/TiO 2高近10倍。研究结果表明，无机半导体量子点为提高聚合物/TiO 2杂化太阳能电池的性能提供了有效的手段。
CdS quantum dots (QDs) were introduced as an interface modifier in the poly(3-hexylthiophene) (P3HT)/TiO2nanorod arrays hybrid photovoltaic device. The presence of CdS QDs interlayer was found to provide enhanced light absorption, increased interfacial recombination resistance at the P3HT/TiO2interfaces, thus leading to a lower recombination rate of the electrons due to the stepwise structure of band edge in P3HT/CdS/TiO2, which accounts for the observed enhanced photocurrent and photovoltage of the hybrid solar cells. The optimized performance was achieved in P3HT/CdS/TiO2hybrid solar cells after deposition of CdS QDs for 10 cycles, with a power conversion efficiency of 0.57 %, which is nearly ten times higher than that of P3HT/TiO2. The findings indicate that inorganic semiconductor quantum dots provide effective means to improve the performance of polymer/TiO2hybrid solar cells.
登录
查看更多内容
基于有序TiO2纳米管阵列的纤维状CdS/CdSe量子点共敏化太阳能电池
影响因子：
3.5
作者：
Huang, Shuqing;Zhang, Quanxin;Meng, Qingbo
通讯作者：
Meng, Qingbo
影响因子：
19
作者：
Baker, David R.;Kamat, Prashant V.
通讯作者：
Kamat, Prashant V.
影响因子：
3.7
作者：
B. Conings;L. Baeten;H. Boyen;D. Spoltore;J. D’Haen;L. Grieten;P. Wagner;M. K. Bael;J. Manca-J.
通讯作者：
B. Conings;L. Baeten;H. Boyen;D. Spoltore;J. D’Haen;L. Grieten;P. Wagner;M. K. Bael;J. Manca-J.
影响因子：
--
作者：
Wen-Pin Liao;Jih-Jen Wu
通讯作者：
Wen-Pin Liao;Jih-Jen Wu
影响因子：
3.5
作者：
Tsung-Wei Zeng;Y. Lin;Hsi-Hsing Lo;Chun-Wei Chen;Cheng-Hsuan Chen;S. Liou;Hongrui Huang;W. Su
通讯作者：
Tsung-Wei Zeng;Y. Lin;Hsi-Hsing Lo;Chun-Wei Chen;Cheng-Hsuan Chen;S. Liou;Hongrui Huang;W. Su