Effect of substrate temperature on the electrical characteristics of MoSex thin films and back-gated MoSex transistors
Effect of substrate temperature on the electrical characteristics of MoSex thin films and back-gated MoSex transistors
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衬底温度对MoSex薄膜和背栅MoSex晶体管电特性的影响
DOI：
10.1016/j.jallcom.2014.10.107
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发表时间：
2015-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
LiN LiuZT FengLP
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
LiN LiuZT FengLP
我们研究了在 298 至 573 K 不同衬底温度下沉积的 MoSexfilm 的结构、成分和电性能，以及背栅 MoSex 场效应晶体管 (FET) 的电性能。结果表明，这些特性很大程度上取决于基板温度。随着衬底温度的升高，MoSex薄膜由非晶态转变为晶态，Mo和Se键合浓度先降低后升高，Se/Mo键合原子比增大。当衬底温度为 423 K 时，MoSexfilm 具有最高的霍尔迁移率（6.71 cm2V−1s−1）和最低的室温电阻率（3.28 Ω cm）。此外，采用非晶MoSexfilm沟道制造的MoSexFET具有更高的离子/离子比和场效应迁移率。使用在 423 K 下沉积的 MoSex 通道，FET 的最高离子/离子比和场效应迁移率分别约为 105 和 15.7 cm2V−1s−1。
We have studied the structure, composition and electrical properties of the MoSexfilms deposited at different substrate temperature ranging from 298 to 573 K and the electrical characteristics of the back-gated MoSexfield effect transistors (FETs). Results show that these characteristics depend deeply on the substrate temperature. With the increment of the substrate temperature, the MoSexfilms transfer from amorphous state to crystalline state, the concentration of the bond Mo and Se decreases first and then increases, and the bonding atomic ratio of Se/Mo increases. When the substrate temperature is at 423 K, the MoSexfilm has the highest Hall mobility (6.71 cm2V−1s−1) and the lowest room temperature resistivity (3.28 Ω cm). Moreover, MoSexFET fabricated by amorphous MoSexfilm channel has higherIon/Ioffratio and field-effect mobility. Using the MoSexchannel deposited at 423 K, the highestIon/Ioffratio and field-effect mobility of the FET are about 105and 15.7 cm2V−1s−1, respectively.
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影响因子：
4.6
作者：
J. Bernède;A. Mallouky;J. Pouzet
通讯作者：
J. Bernède;A. Mallouky;J. Pouzet
DOI：
10.1007/bf00324281
发表时间：
1990-08
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
J. Bernède;J. Pouzet;Z. K. Alaoui
通讯作者：
J. Bernède;J. Pouzet;Z. K. Alaoui
影响因子：
2.1
作者：
G. Weise;N. Mattern;H. Hermann;A. Teresiak;I. Bächer;W. Brückner;H. Bauer;H. Vinzelberg;G. Reiss;U. Kreissig;M. Mader;P. Markschlaeger
通讯作者：
G. Weise;N. Mattern;H. Hermann;A. Teresiak;I. Bächer;W. Brückner;H. Bauer;H. Vinzelberg;G. Reiss;U. Kreissig;M. Mader;P. Markschlaeger
影响因子：
16.6
作者：
Liu, Jian;Yang, Tianyu;Qiao, Shi Zhang
通讯作者：
Qiao, Shi Zhang
影响因子：
1.9
作者：
He, G;Liu, M;Zhang, LD
通讯作者：
Zhang, LD