Energy Level Consideration of Source/Channel/Drain for Performance Enhancements of N- and P-Channel Organic FETs
Energy Level Consideration of Source/Channel/Drain for Performance Enhancements of N- and P-Channel Organic FETs
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用于增强 N 沟道和 P 沟道有机 FET 性能的源极/沟道/漏极的能级考虑
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yokoyama;T.Nishimura;K.Kita;K.Kyuno;A.Toriumi
影响因子：
15
作者：
Sakamoto, Y;Suzuki, T;Tokito, S
通讯作者：
Tokito, S