Facile fabrication of flower-like CuCo2S4 on Ni foam for supercapacitor application
Facile fabrication of flower-like CuCo2S4 on Ni foam for supercapacitor application
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在泡沫镍上轻松制备花状 CuCo2S4 用于超级电容器
DOI：
10.1007/s10853-017-1119-1
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发表时间：
2017-04
影响因子：
4.5
通讯作者：
Zhongxia Liu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Zhang;Jie Xu;Yingjiu Zhang;Yayun Zheng;Xing Hu;Zhongxia Liu
摘要
电化学性能和生产成本是超级电容器实用化电极材料的主要关注点。在这里，我们采用一种简单且普遍适用的两步水热处理工艺，直接在泡沫镍上生长出花状CuCo2S4纳米片阵列，并将其用作无粘结剂和无导电剂的伪电容器电极。在电流密度为5 mA/cm−2时，电极的超大容量为908.9 fF/g−1；在30 mA/cm−2时，电极具有优异的循环稳定性，与初始容量相比，2 000次循环后仍保持91.1%的循环稳定性。此外，组装的花状纳米结构CuCo2S4//活性碳不对称超级电容器在1 mA/cm−2时的比容为93.5F/g−1，在127W/kg−1时的能量密度为29.2wh/kg−1，在25 mA/cm−2的大电流密度下经2000次循环的容量保持率为126.39，这表明花状CuCo2S4纳米片阵列具有高性能超级电容器的实际应用前景。
Abstract
Electrochemical performance and production cost are the main concerns of electrode materials for the practical supercapacitor applications. Here we use a simple and universally applicable two-step hydrothermal treatment process to prepare the flower-like CuCo2S4 nanosheet arrays directly grown on Ni foam and employ it as binder-free and conductive-agent-free electrode for pseudocapacitors. The electrode at a current density of 5 mA cm−2 exhibits an ultrahigh capacitance of 908.9 F g−1 and at 30 mA cm−2 delivers an outstanding cycling stability with retaining 91.1% after 2000 cycles compared with its initial capacity. Furthermore, the assembled flower-like nanostructured CuCo2S4//active carbon asymmetric supercapacitor displays a specific capacitance of 93.5 F g−1 at 1 mA cm−2, an energy density of 29.2 Wh kg−1 at 127 W kg−1, as well as 126.39% capacitance retention through 2000 cycles at the high current density of 25 mA cm−2, suggesting the flower-like CuCo2S4 nanosheet arrays hold promise for practical application of high-performance supercapacitors.
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影响因子：
3.9
作者：
Yan Zhang;Jie Xu;Yayun Zheng;Xiaoyan Hu;Yuanyuan Shang;Yingjiu Zhang
通讯作者：
Yan Zhang;Jie Xu;Yayun Zheng;Xiaoyan Hu;Yuanyuan Shang;Yingjiu Zhang
介孔CuCo2S4电化学超电容性能研究
影响因子：
3.9
作者：
Yirong Zhu;Xiaobo Ji;Han Chen;Liujiang Xi;Wenqiang Gong;Yong Liu
通讯作者：
Yong Liu
DOI：
10.1007/s10854-016-4878-6
发表时间：
2016-04
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
Yan Zhang;Jie Xu;Yingjiu Zhang;Xiaoyan Hu
通讯作者：
Yan Zhang;Jie Xu;Yingjiu Zhang;Xiaoyan Hu
影响因子：
--
作者：
A. Pendashteh;J. Palma;M. Anderson;R. Marcilla
通讯作者：
A. Pendashteh;J. Palma;M. Anderson;R. Marcilla
影响因子：
6.6
作者：
Changhui Zhao;Baoyu Huang;Wenbin Fu;Jiayi Chen;Jinyuan Zhou;E. Xie
通讯作者：
Changhui Zhao;Baoyu Huang;Wenbin Fu;Jiayi Chen;Jinyuan Zhou;E. Xie