Low Temperature Growth of InAs on GaAs (111)B
Low Temperature Growth of InAs on GaAs (111)B
复制标题
GaAs (111)B 上 InAs 的低温生长
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masashi Akabori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Md Tauhidul Islam;Masashi Akabori
影响因子：
8.6
作者：
Belk, JG;Sudijono, JL;Joyce, BA
通讯作者：
Joyce, BA
GaAs(001)-c(4 × 4) 上 InAs 生长初始阶段 In 的空间分布
影响因子：
1.9
作者：
J. G. Belk;J. Sudijono;D. Holmes;C. McConville;T. Jones;B. Joyce
通讯作者：
B. Joyce