Quantitative evaluation of SiO_2/Si interfaces using high-resolution high-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy.
Quantitative evaluation of SiO_2/Si interfaces using high-resolution high-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy.
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使用高分辨率高角度环形暗场扫描透射电子显微镜定量评估 SiO_2/Si 界面。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
橋本巖
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中西伸登;菊地吉男;山崎貴司;奥西栄治;渡辺和人;橋本巖
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氧化离子导电镧氧磷灰石在 295 K 至 1073 K 加热过程中的结构变化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Solid State Ionics 178
影响因子：
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作者：
上野俊吉;中嶋英雄;福田 功一郎;村上 英興;上野俊吉;福田 功一郎;橋本 忍;上野俊吉・中嶋英雄;H. Murakami;武田 はやみ;上野俊吉・林礼明・中嶋英雄;Kiminori Sato;岩田 知之
通讯作者：
岩田 知之
亚 0.1 nm 分辨率定量扫描透射电子显微镜，无需可调参数
影响因子：
4
作者：
C. Dwyer;C. Maunders;C. Zheng;M. Weyland;P. Tiemeijer;J. Etheridge
通讯作者：
J. Etheridge
影响因子：
1.7
作者：
Abram, EJ;Sinclair, DC;West, AR
通讯作者：
West, AR
影响因子：
8.6
作者：
Bechade, Emilie;Masson, Olivier;Champion, Eric
通讯作者：
Champion, Eric
2A、2M 和 2H 碱土金属锗酸镧氧磷灰石电解质多晶型物的晶体化学和电导率优化
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Pramana;T. Baikie;E. Kendrick;M. Schreyer;P. Slater;T. White
通讯作者：
T. White