Fabrication of High Precision Self-Aligned V-Grooves Integrated on Silica-on-Silicon Chips
Fabrication of High Precision Self-Aligned V-Grooves Integrated on Silica-on-Silicon Chips
复制标题
DOI：
10.1109/lpt.2014.2316800
复制
发表时间：
2014-06
影响因子：
2.6
通讯作者：
He Sailing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Yaocheng;Zhang Lei;Chen Pengxin;He Sailing
在这封信中，我们提出了一种简单的方法来制作V形槽集成在硅上二氧化硅芯片。在波导芯层刻蚀过程中，我们利用自对准原理形成V型槽的刻蚀掩模。利用这种设计的工艺，可以在没有任何横向位移的情况下制造波导和V形槽。
In this letter, we propose a simple method to fabricate V-grooves integrated on silica-on-silicon chips. We have utilized the photolithographic self-alignment principle to form the etching mask for V-grooves during waveguide core etching. With such designed processes, the waveguides and V-grooves can be fabricated without any lateral displacement.
登录
查看更多内容
影响因子：
2.6
作者：
Tsugumichi Shibata;Masayuki Okuno;Takashi Goh;Toshifumi Watanabe;M. Yasu;M. Itoh;M. Ishii;
通讯作者：
Tsugumichi Shibata;Masayuki Okuno;Takashi Goh;Toshifumi Watanabe;M. Yasu;M. Itoh;M. Ishii;
影响因子：
3.6
作者：
T. Neely;L. Nugent-Glandorf;F. Adler;S. Diddams
通讯作者：
T. Neely;L. Nugent-Glandorf;F. Adler;S. Diddams
影响因子：
1.8
作者：
Lolli, Lapo;Taralli, Emanuele;Monticone, Eugenio
通讯作者：
Monticone, Eugenio
影响因子：
2.6
作者：
Y. Jiao;Yunpeng Zhu;Xuezhi Hong;Yaocheng Shi;Lei Xu;Sailing He
通讯作者：
Y. Jiao;Yunpeng Zhu;Xuezhi Hong;Yaocheng Shi;Lei Xu;Sailing He
影响因子：
2.6
作者：
Xufeng Lin;Xiao Ma;Jian-jun He
通讯作者：
Xufeng Lin;Xiao Ma;Jian-jun He