Orbital rearrangement mechanism and half-metallicity transition in strained Fe3O4/BaTiO3 interfaces
Orbital rearrangement mechanism and half-metallicity transition in strained Fe3O4/BaTiO3 interfaces
复制标题
应变 Fe3O4/BaTiO3 界面中的轨道重排机制和半金属性转变
DOI：
10.1016/j.commatsci.2017.05.036
复制
发表时间：
2017-09
影响因子：
3.3
通讯作者：
Zunfeng Du
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xueyao Hou;Li Yin;Wenbo Mi;Zunfeng Du
双轴应变效应是影响纳米薄膜界面性能的重要因素之一。用第一性原理计算研究了应变Fe3O4/ batio3异质结构的可调谐电子特性。计算中考虑了两种模型（OTi-FeBO和TiO-FeBO），这两种模型在铁电BaTiO3极化方向上是不同的。在应变的OTi-FeBO中发现了可调节的半金属丰度和界面层的轨道重排。HM到绝缘体的转变可以归因于界面相互作用的轨道重排。研究了不同双轴应变对界面性能的影响，提出了不同应变下HM向绝缘子转变的机理。该研究对铁电存储器的应用具有重要意义。
Biaxial-strain effect emerges as one of leading topics for the strong influence on interfacial properties of nanoscale thin films. The tunable electronic characteristics in strained Fe3O4/BaTiO3heterostructure have been investigated by first-principles calculation. Two models (OTi-FeBO and TiO-FeBO) are considered in the calculation, which is different in polarization directions of ferroelectric BaTiO3. Tunable half-metallicity (HM) and orbital rearrangement of interfacial layers are found in strained OTi-FeBO. The HM to insulator transition can be attributed to the orbital rearrangement of interfacial interaction. The interfacial properties are modulated by different biaxial-strains and the HM to insulator transition mechanism at different strain is proposed. The research is useful in ferroelectric memories application.
登录
查看更多内容
Fe3O4 中高稳定反相边界缺陷的原子尺度结构和性质
影响因子：
16.6
作者：
McKenna, Keith P.;Hofer, Florian;Gilks, Daniel;Lazarov, Vlado K.;Chen, Chunlin;Wang, Zhongchang;Ikuhara, Yuichi
通讯作者：
Ikuhara, Yuichi
影响因子：
8.6
作者：
Jeng, HT;Guo, GY;Huang, DJ
通讯作者：
Huang, DJ
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
3.7
作者：
E. Orhan;J. Varela;A. Zenatti;Mfc Gurgel;F. Pontes;E. Leite;E. Longo;P. S. Pizani;A. Beltrán-A.-Be
通讯作者：
E. Orhan;J. Varela;A. Zenatti;Mfc Gurgel;F. Pontes;E. Leite;E. Longo;P. S. Pizani;A. Beltrán-A.-Be
DOI：
10.1088/0953-8984/12/39/314
发表时间：
2000-10
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Y. Yoneda;K. Sakaue;H. Terauchi
通讯作者：
Y. Yoneda;K. Sakaue;H. Terauchi