Selective growth and characterization of ZnO nanorods assembled a hexagonal pattern on H2-decomposed GaN epilayer
Selective growth and characterization of ZnO nanorods assembled a hexagonal pattern on H2-decomposed GaN epilayer
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在 H2 分解的 GaN 外延层上组装六边形图案的 ZnO 纳米棒的选择性生长和表征
DOI：
10.1007/s12200-013-0350-x
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发表时间：
2013-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jiangnan Dai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Tian;Huiquan Chen;Xiaolong Zhu;Guang Zheng;Jiangnan Dai
本文报道了一种简单有效的方法，通过水热法在氢分解的GaN外延层上制备和图案化高度有序的ZnO纳米棒阵列。图案的边缘被氢气分解，为定向生长的ZnO纳米棒提供了合适的成核位置。通过改变溶液浓度、生长时间和反应温度可以调节ZnO纳米棒阵列的密度。结果表明，ZnO纳米棒的直径和高度均匀，具有良好的取向性，并沿沿着[0001]方向外延生长。本工作为制备取向排列的ZnO纳米棒阵列提供了一条新的途径。ZnO纳米棒的排列形成了理想的六方结构，这可能会在ZnO纳米材料的许多潜在应用中得到应用。
This paper reported a simple and effective method for fabricating and patterning highly ordered ZnO nanorod arrays on H2-decomposed GaN epilayer via hydrothermal route. The edge of pattern, which has been decomposed by H2flow, provides appropriate nucleation sites for the selective-growth of aligned ZnO nanorods. The density of ZnO nanorod arrays assembled the hexagonal pattern can be tuned by varying the solution concentrations, growth time and reaction temperatures. The results have demonstrated that the ZnO nanorods are highly uniform in diameter and height with perfect alignment and are epitaxially grown along [0001] direction. This work provides a novel and accessible route to prepare oriented and aligned ZnO nanorod arrays pattern. And the aligned ZnO nanorods form an ideal hexagonal pattern that might be used in many potential applications of ZnO nanomaterials.
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