Preparation of carbon nanotube on metal nano-dots substrate for gas sensor
Preparation of carbon nanotube on metal nano-dots substrate for gas sensor
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金属纳米点基底碳纳米管的制备用于气体传感器
DOI：
10.14723/tmrsj.36.455
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Suda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hiroharu Kawasaki;T. Kanazawa;S. Aoqui;Ikuya Muramoto;T. Ohshima;Y. Yagyu;Y. Suda
采用化学气相沉积法，在硅衬底上以金属纳米点制备了碳纳米管。碳纳米管和纳米尺寸的点结构金属衬底可以在硅上用同一种工艺在同一腔室中制备。在硅上的纳米点状结构金属尺寸约为50~500 nm，分散性小。尺寸和密度可以通过衬底温度来控制。衬底上的碳纳米管直径为数百nm，其密度可由衬底温度和甲烷气体压力控制
Carbon nanotube has been prepared on the Si substrate with metal nanodots on using chemical vapor deposition method. Carbon nanotubes and nanosize dot structural metal substrates can be prepared on the silicon by using one process in the same chamber. Size of the nanosize dot structural metal on the silicon was about 50~500 nm and dispersion of them is small. Size and density can be controlled by the substrate temperature. Carbon nano tube on the substrate was several hundreds nm in diameter, and their density can be controlled by substrate temperature and methane gas pressure
“激光分子束外延法室温生长 AIN/TiN 外延多层”固体薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films 516
影响因子：
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作者：
Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara
通讯作者：
Wakana Hara