Study of 4H-SiC Superjunction Schottky Rectifiers with Implanted P-Pillars
Study of 4H-SiC Superjunction Schottky Rectifiers with Implanted P-Pillars
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植入P柱的4H-SiC超结肖特基整流器的研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.963.539
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Baker G
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baker G
高压大功率金刚石MOSFET的最新进展
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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作者：
篠原康;今坂光太郎; 芦原聡; 石川顕一;Makoto Kasu and Niloy Chandra Saha
通讯作者：
Makoto Kasu and Niloy Chandra Saha