Recent Progress of High-Voltage High-Power Diamond MOSFETs
Recent Progress of High-Voltage High-Power Diamond MOSFETs
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高压大功率金刚石MOSFET的最新进展
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Kasu and Niloy Chandra Saha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
篠原康;今坂光太郎; 芦原聡; 石川顕一;Makoto Kasu and Niloy Chandra Saha
高压4H-SiC双向IGBT的实验演示
影响因子：
4.9
作者：
S. Chowdhury;C. Hitchcock;Z. Stum;R. Dahal;I. Bhat;T. Chow
通讯作者：
T. Chow
10 kV SiC 功率 MOSFET 和 JBS 二极管：实现革命性模块和功率转换技术
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1225
发表时间：
2012
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
M. Das;D. Grider;S. Leslie;R. Raju;M. Schutten;A. Hefner
通讯作者：
A. Hefner
具有优化结型场效应晶体管区域的低导通电阻和快速开关 13kV SiC MOSFET
DOI：
10.23919/ispsd.2017.7988982
发表时间：
2017
期刊：
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD)
影响因子：
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作者：
H. Kitai;Y. Hozumi;H. Shiomi;K. Fukuda;Masaki Furumai
通讯作者：
Masaki Furumai