Photoluminescence efficiency in AlGaN quantum wells
Photoluminescence efficiency in AlGaN quantum wells
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AlGaN 量子阱中的光致发光效率
DOI：
10.1016/j.physb.2013.12.019
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发表时间：
2014
影响因子：
2.8
通讯作者：
R. Gaska
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Tamulaitis;J. Mickevičius;J. Jurkevičius;M. Shur;M. Shatalov;J. Yang;R. Gaska
影响因子：
8.6
作者：
Iveland, Justin;Martinelli, Lucio;Weisbuch, Claude
通讯作者：
Weisbuch, Claude