High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for Integration
High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for Integration
复制标题
适合集成的半环栅结构高性能硅纳米线 FET
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.Sato;K.Kaushima;K.Ohmori;K.Yamada;N.Iwai;et al.
使用金属纳米线触点的 8 nm 栅极长度全环绕栅极纳米线晶体管取得性能突破
DOI：
10.1109/vlsit.2008.4588553
发表时间：
2008
期刊：
2008 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Jiang;T. Liow;N. Singh;L. Tan;G. Lo;D. Chan;D. Kwong
通讯作者：
D. Kwong