Monolayer MoSe2/NiO van der Waals heterostructures for infrared light-emitting diodes
Monolayer MoSe2/NiO van der Waals heterostructures for infrared light-emitting diodes
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用于红外发光二极管的单层MoSe2/NiO范德华异质结构
DOI：
10.1039/c9tc04481g
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发表时间：
2019-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.H. Gao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C.Y. Wang;Z. Kang;Z. Zheng;Y.N. Zhang;L.W. Zhang;J. Su;Z. Zhang;N.S. Liu;L.Y. Li;Y.H. Gao
目前，单层过渡金属硫属化物（TMC）由于其优异的光电性能而得到了广泛的研究。
Nowadays monolayer transition metal chalcogenides (TMCs) have been widely researched due to their excellent optoelectronic properties.
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