High-quality monolayer superconductor NbSe(2) grown by chemical vapour deposition.
High-quality monolayer superconductor NbSe(2) grown by chemical vapour deposition.
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通过化学气相沉积法生长的高质量单层超导体 NbSe2
DOI：
10.1038/s41467-017-00427-5
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发表时间：
2017-08-30
影响因子：
16.6
通讯作者：
Liu Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang H;Huang X;Lin J;Cui J;Chen Y;Zhu C;Liu F;Zeng Q;Zhou J;Yu P;Wang X;He H;Tsang SH;Gao W;Suenaga K;Ma F;Yang C;Lu L;Yu T;Teo EHT;Liu G;Liu Z
单层超导体的发现对基础物理学和器件应用都产生了影响。目前，超导单层的生长只能在超真空下和特定的晶格匹配或悬挂无键衬底上进行，以最大限度地减少环境和衬底引起的紊乱/缺陷。这种严格的生长要求限制了新型二维超导和相关纳米器件的探索。在这里，我们展示了实验实现的化学气相沉积生长的单层材料-NbSe 2的超导性。原子分辨率扫描透射电子显微镜成像揭示了单层NbSe 2中本征点缺陷和晶界的原子结构，并证实了我们高质量薄膜中的低缺陷浓度，这是二维超导性的关键。通过使用单层化学气相沉积的石墨烯作为保护盖层，观察到厚度依赖的超导特性，在生长的NbSe 2与转变温度从1.0 K的单层增加到4.56 K的10层。
The discovery of monolayer superconductors bears consequences for both fundamental physics and device applications. Currently, the growth of superconducting monolayers can only occur under ultrahigh vacuum and on specific lattice-matched or dangling bond-free substrates, to minimize environment- and substrate-induced disorders/defects. Such severe growth requirements limit the exploration of novel two-dimensional superconductivity and related nanodevices. Here we demonstrate the experimental realization of superconductivity in a chemical vapour deposition grown monolayer material—NbSe2. Atomic-resolution scanning transmission electron microscope imaging reveals the atomic structure of the intrinsic point defects and grain boundaries in monolayer NbSe2, and confirms the low defect concentration in our high-quality film, which is the key to two-dimensional superconductivity. By using monolayer chemical vapour deposited graphene as a protective capping layer, thickness-dependent superconducting properties are observed in as-grown NbSe2 with a transition temperature increasing from 1.0 K in monolayer to 4.56 K in 10-layer.
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掺杂 SrTiO3 上的单层 FeSe 薄膜具有 100 K 以上的超导性
影响因子：
41.2
作者：
Ge, Jian-Feng;Liu, Zhi-Long;Jia, Jin-Feng
通讯作者：
Jia, Jin-Feng
DOI：
10.1016/0378-4363(85)90448-6
发表时间：
1985-12-01
期刊：
PHYSICA B & C
影响因子：
--
作者：
GRAYBEAL, JM
通讯作者：
GRAYBEAL, JM
影响因子：
10.8
作者：
Lu, Xin;Utama, M. Iqbal Bakti;Xiong, Qihua
通讯作者：
Xiong, Qihua
影响因子：
4.2
作者：
Manukyan, Khachatur V.;Kirakosyan, Khachatur G.;Kharatyan, Suren L.
通讯作者：
Kharatyan, Suren L.
影响因子：
4.6
作者：
Li X;Lin MW;Puretzky AA;Idrobo JC;Ma C;Chi M;Yoon M;Rouleau CM;Kravchenko II;Geohegan DB;Xiao K
通讯作者：
Xiao K