Characterisation of optical phonons within epitaxial Ge2Sb2Te5/InAs(111) structures
Characterisation of optical phonons within epitaxial Ge2Sb2Te5/InAs(111) structures
复制标题
外延 Ge2Sb2Te5/InAs(111) 结构中光学声子的表征
DOI：
10.1016/j.ssc.2022.114788
复制
发表时间：
2022
影响因子：
2.1
通讯作者：
Alsaigh R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alsaigh R
登录
查看更多内容
晶体和非晶 Ge2Sb2Te5 薄膜的相干声子模式：结构和键合的指纹
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Shalini;Y. Liu;F. Katmis;W. Braun;G. P. Srivastava;R. Hicken
通讯作者：
R. Hicken
GeSbTe 合金中 Si 台阶边缘应变诱导的范德华调制和经典外延
影响因子：
4.6
作者：
E. Zallo;S. Cecchi;J. Boschker;A. Mio;F. Arciprete;S. Privitera;R. Calarco
通讯作者：
R. Calarco
凝聚介质中的相干声子
影响因子：
1.9
作者：
T. Dekorsy;G. Cho;H. Kurz
通讯作者：
H. Kurz
影响因子：
4.6
作者：
Nemec, P.;Nazabal, V.;Frumar, M.
通讯作者：
Frumar, M.
外延二元和三元GeTe-Sb2Te3合金的电学和光学性能
影响因子：
4.6
作者：
J. Boschker;X. Lü;V. Bragaglia;Ruining Wang;H. Grahn;R. Calarco
通讯作者：
R. Calarco