GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique
GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique
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使用双衬底温度技术通过 MBE 生长 GaAsBi/GaAs MQW
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Patil;F. Ishikawa;S. Shimomura
影响因子：
4
作者：
Ludewig, P.;Knaub, N.;Volz, K.
通讯作者：
Volz, K.