Gate-controlled nuclear magnetic resonance in an AlGaAs/GaAs quantum Hall device
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AlGaAs/GaAs 量子霍尔器件中的门控核磁共振
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Masubuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuhiko Mishima;Yukinari Kato(double first);K.Sugihara;K.Hamaya;H.Takahashi;K.Hamaya;K.Hamaya;S.Masubuchi
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量子霍尔体系中二维电子系统的磁电容和边缘态。
影响因子：
8.6
作者：
Takaoka;Oto;Kurimoto;Murase;Gamo;Nishi
通讯作者：
Nishi
影响因子：
8.6
作者：
H. Sanada;S. Matsuzaka;Ken Morita;C. Hu;Y. Ohno;H. Ohno
通讯作者：
H. Sanada;S. Matsuzaka;Ken Morita;C. Hu;Y. Ohno;H. Ohno
门控异质结构中二维电子气的边缘。
DOI：
10.1016/0039-6028(96)00459-1
发表时间：
1995
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
Ivan A. Larkin;John H. Davies
通讯作者：
John H. Davies
量子霍尔器件中核自旋系统的相干控制
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Appl. Phys. Lett. 82
影响因子：
--
作者：
T.Machida;T.Yamazaki;K.Ikushima;S.Komiyama;小宮山 進;T.Machida
通讯作者：
T.Machida
使用量子霍尔边缘通道中超精细相互作用的门诱导解耦进行奈特位移检测
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Appl.Phys.Lett. 89
影响因子：
--
作者：
Kazuhiko Mishima;Yukinari Kato(double first);K.Sugihara;K.Hamaya;H.Takahashi;K.Hamaya;K.Hamaya;S.Masubuchi;S.Masubuchi
通讯作者：
S.Masubuchi