InP/AlGaInP quantum dot semiconductor disk lasers for CW TEM00 emission at 716 - 755 nm.
InP/AlGaInP quantum dot semiconductor disk lasers for CW TEM00 emission at 716 - 755 nm.
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InP/AlGaInP 量子点半导体盘激光器，用于 716 - 755 nm 的 CW TEM00 发射。
DOI：
10.1364/oe.17.021782
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Schlosser PJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Schlosser PJ
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影响因子：
3.6
作者：
Butkus, M.;Wilcox, K. G.;Rafailov, E. U.
通讯作者：
Rafailov, E. U.
1.32μm 0.6W CW GaInNAs 垂直外腔表面发射激光器
影响因子：
1.1
作者：
J. Hopkins;S. Smith;C. Jeon;Handong Sun;D. Burns;S. Calvez;M. Dawson;T. Jouhti;M. Pessa
通讯作者：
M. Pessa
量子点半导体盘激光器
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.07.004
发表时间：
2008
期刊：
2008 International Nano-Optoelectronics Workshop
影响因子：
--
作者：
T. Germann;André Strittmatter;J. Pohl;U. W. Pohl;D. Bimberg;J. Rautiainen;M. Guina;O. Okhotnikov
通讯作者：
O. Okhotnikov
影响因子：
11
作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
通讯作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
GaAs QD 激光器发射约 740 nm 的低阈值 InP/AlGaInP
影响因子：
1.8
作者：
A. Krysa;S. Liew;J. C. Lin;J. Roberts;J. Lutti;G. Lewis;P. Smowton
通讯作者：
P. Smowton