Analysis of GaN etching damage by capacitively coupled RF Ar plasma exposure
Analysis of GaN etching damage by capacitively coupled RF Ar plasma exposure
复制标题
电容耦合 RF Ar 等离子体暴露造成的 GaN 蚀刻损伤分析
DOI：
10.1016/j.tsf.2007.08.019
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Yasuyuki Kikuhara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Retsuo Kawakami;T. Inaoka;Shingo Minamoto;Yasuyuki Kikuhara
影响因子：
6.7
作者：
Susumu Oyama;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
Susumu Oyama;T. Hashizume;H. Hasegawa