Reduction of threading dislocation density for AlN epilayer via a highly compressive-stressed buffer layer
Reduction of threading dislocation density for AlN epilayer via a highly compressive-stressed buffer layer
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通过高压应力缓冲层降低 AlN 外延层的穿透位错密度
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.11.086
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发表时间：
2017-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
Ke Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ji cai Zhang;Wei Wang;Jian Feng wang;Ke Xu
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影响因子：
2.7
作者：
Nix, WD;Clemens, BM
通讯作者：
Clemens, BM
影响因子：
1.7
作者：
Boichot, R.;Coudurier, N.;Pons, M.
通讯作者：
Pons, M.
影响因子：
3.2
作者：
Etzkorn, EV;Clarke, DR
通讯作者：
Clarke, DR
影响因子：
3.2
作者：
A. Romanov;W. Pompe;S. Mathis;G. Beltz;J. Speck
通讯作者：
A. Romanov;W. Pompe;S. Mathis;G. Beltz;J. Speck
影响因子：
4
作者：
Z. Ren;Qian Sun;Suk-Dong Kwon;Jung Han;K. Davitt;Yoon-Kyu Song;A. Nurmikko;H. Cho;Wayne Liu-Wayn
通讯作者：
Z. Ren;Qian Sun;Suk-Dong Kwon;Jung Han;K. Davitt;Yoon-Kyu Song;A. Nurmikko;H. Cho;Wayne Liu-Wayn