Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials.
Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials.
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揭示了第四族材料中的平面缺陷。
DOI：
10.1021/acs.nanolett.1c00683
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发表时间：
2021-04-28
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Verheijen MA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fadaly EMT;Marzegalli A;Ren Y;Sun L;Dijkstra A;de Matteis D;Scalise E;Sarikov A;De Luca M;Rurali R;Zardo I;Haverkort JEM;Botti S;Miglio L;Bakkers EPAM;Verheijen MA
最近合成的六方四族材料是实现与电子学紧密结合的高效发光的一个很有前途的平台。高晶体质量对于评估这些材料不受结构缺陷影响的内在电子和光学特性至关重要。在这里，我们发现了一种以前未知的具有I3型基底层错的材料的部分平面缺陷，并研究了其结构和电子特性。利用电子显微镜和原子模型对晶体中的层错及其终止位错进行了重建和可视化。从带结构计算到光致发光测量，我们得出结论，I3缺陷不会在十六进制锗和十六进制硅带隙内产生态。因此，该缺陷并不会对hexhex - sige材料家族的光电性能造成不利影响。最后，强调这种缺陷的性质可能会引起十六进制iii - n社区的极大兴趣，其中也存在这种缺陷。
Recently synthesized hexagonal group IV materials are a promising platform to realize efficient light emission that is closely integrated with electronics. A high crystal quality is essential to assess the intrinsic electronic and optical properties of these materials unaffected by structural defects. Here, we identify a previously unknown partial planar defect in materials with a type I3 basal stacking fault and investigate its structural and electronic properties. Electron microscopy and atomistic modeling are used to reconstruct and visualize this stacking fault and its terminating dislocations in the crystal. From band structure calculations coupled to photoluminescence measurements, we conclude that the I3 defect does not create states within the hex-Ge and hex-Si band gap. Therefore, the defect is not detrimental to the optoelectronic properties of the hex-SiGe materials family. Finally, highlighting the properties of this defect can be of great interest to the community of hex-III-Ns, where this defect is also present.
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影响因子：
10.8
作者：
Hauge, Hakon Ikaros T.;Verheijen, Marcel A.;Bakkers, Erik P. A. M.
通讯作者：
Bakkers, Erik P. A. M.
影响因子：
3.7
作者：
Stampfl, C;Van de Walle, CG
通讯作者：
Van de Walle, CG
影响因子：
10.8
作者：
Conesa-Boj, S.;Hauge, H. I. T.;Fontcuberta i Morral, A.
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Fontcuberta i Morral, A.
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10.8
作者：
Fasolato, Claudia;De Luca, Marta;Zardo, Ilaria
通讯作者：
Zardo, Ilaria
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作者：
Qiu Y;Bender H;Richard O;Kim MS;Van Besien E;Vos I;de Potter de ten Broeck M;Mocuta D;Vandervorst W
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Vandervorst W