Electron effective mass in GaN revisited: New insights from terahertz and mid-infrared optical Hall effect
Electron effective mass in GaN revisited: New insights from terahertz and mid-infrared optical Hall effect
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重新审视 GaN 中的电子有效质量：太赫兹和中红外光学霍尔效应的新见解
DOI：
10.1063/5.0176188
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发表时间：
2024
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Kilic, Ufuk
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Armakavicius, Nerijus;Knight, Sean;Kühne, Philipp;Stanishev, Vallery;Tran, Dat Q.;Richter, Steffen;Papamichail, Alexis;Stokey, Megan;Sorensen, Preston;Kilic, Ufuk
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