Performance of capacitively coupled active pixel sensors in 180 nm HV-CMOS technology after irradiation to HL-LHC fluences
Performance of capacitively coupled active pixel sensors in 180 nm HV-CMOS technology after irradiation to HL-LHC fluences
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180 nm HV-CMOS 技术中的电容耦合有源像素传感器在 HL-LHC 通量照射后的性能
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Feigl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Feigl
在这个ATLAS升级研发项目中，我们探索了使用深亚微米HV-CMOS工艺来生产传统辐射硬硅传感器的嵌入式替代品的概念。这种有源传感器包含简单的电路，例如放大器和鉴别器，但仍然需要传统的（像素或条带）读出芯片。这种方法产生map的大多数优点（提高分辨率，降低成本和材料预算等），而没有完全集成在单个芯片上的复杂性。在概述了HV2FEI4测试专用集成电路的基本设计之后，将给出862 Mrad的x射线照射和1016(1 MeV neq)/cm2的中子照射后的结果。最后，对今后的发展规划作了简要展望。
In this ATLAS upgrade R&D project, we explore the concept of using a deep-submicron HV-CMOS process to produce a drop-in replacement for traditional radiation-hard silicon sensors. Such active sensors contain simple circuits, e.g. amplifiers and discriminators, but still require a traditional (pixel or strip) readout chip. This approach yields most advantages of MAPS (improved resolution, reduced cost and material budget, etc.), without the complication of full integration on a single chip. After outlining the basic design of the HV2FEI4 test ASIC, results after irradiation with X-rays to 862 Mrad and neutrons up to 1016(1 MeV neq)/cm2 will be presented. Finally, a brief outlook on further development plans is given.
用于 ATLAS、CLIC 和 Mu3e 实验的商用 CMOS 技术中的高压像素探测器
DOI：
10.1016/j.nima.2013.05.006
发表时间：
2013
影响因子：
1.4
作者：
I. Perić
通讯作者：
I. Perić