High-voltage pixel detectors in commercial CMOS technologies for ATLAS, CLIC and Mu3e experiments
High-voltage pixel detectors in commercial CMOS technologies for ATLAS, CLIC and Mu3e experiments
复制标题
用于 ATLAS、CLIC 和 Mu3e 实验的商用 CMOS 技术中的高压像素探测器
DOI：
10.1016/j.nima.2013.05.006
复制
发表时间：
2013
影响因子：
1.4
通讯作者：
I. Perić
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. Perić
商用CMOS技术中的高压粒子探测器是一个探测器系列，可以实现低成本、薄且耐辐射的高时间分辨率探测器。在研制阶段，系统的抗辐射能力达到1015 neq/cm 2，探测效率接近100%，空间分辨率约为3 μm。自2011年以来，HV探测器首次应用：该技术目前是PSI（瑞士）计划的Mu 3e实验的像素探测器的主要选择。几个原型传感器已设计在一个标准的180 nm HV CMOS工艺，并成功地测试。由于其高辐射耐受性，HV探测器也被CERN视为ATLAS升级和CLIC标准选项的有前途的替代品。为了测试这一概念，在ATLAS升级研发中，我们目前正在探索一种有源像素探测器演示器HV 2FEI 4;也采用180 nm HV工艺。
High-voltage particle detectors in commercial CMOS technologies are a detector family that allows implementation of low-cost, thin and radiation-tolerant detectors with a high time resolution. In the R/D phase of the development, a radiation tolerance of 10 15 n eq/cm 2, nearly 100% detection efficiency and a spatial resolution of about 3 μm were demonstrated. Since 2011 the HV detectors have first applications: the technology is presently the main option for the pixel detector of the planned Mu3e experiment at PSI (Switzerland). Several prototype sensors have been designed in a standard 180 nm HV CMOS process and successfully tested. Thanks to its high radiation tolerance, the HV detectors are also seen at CERN as a promising alternative to the standard options for ATLAS upgrade and CLIC. In order to test the concept, within ATLAS upgrade R/D, we are currently exploring an active pixel detector demonstrator HV2FEI4; also implemented in the 180 nm HV process.
登录
查看更多内容
无凸点互连的混合像素粒子探测器
影响因子：
1.8
作者：
I. Perić
通讯作者：
I. Perić
高压CMOS技术的粒子像素探测器——新成果
DOI：
10.1016/j.nima.2010.11.090
发表时间：
2011
影响因子：
1.4
作者：
I. Perić;C. Kreidl;P. Fischer
通讯作者：
P. Fischer
采用高压 CMOS 技术的大型单片粒子像素探测器
DOI：
10.1016/j.nima.2010.03.161
发表时间：
2010
影响因子：
1.4
作者：
I. Perić;C. Takács
通讯作者：
C. Takács
高压 CMOS 技术中单片粒子像素探测器的首次光束测试
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Perić;C. Takács;J. Behr;F. Wagner;P. Fischer
通讯作者：
P. Fischer
采用高压 CMOS 技术实现的新型单片像素探测器
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record
影响因子：
--
作者：
I. Perić
通讯作者：
I. Perić