Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region
Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region
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具有 GaAsSb 吸收区和 AlGaAsSb 雪崩区的极低过量噪声雪崩光电二极管
DOI：
10.1063/5.0139495
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发表时间：
2023
影响因子：
4
通讯作者：
Cao Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cao Y
影响因子：
35
作者：
Yi, Xin;Xie, Shiyu;David, John P. R.
通讯作者：
David, John P. R.