Growth of Smooth, Low-Defect Germanium Layers on (111) Silicon via an Intermediate Islanding Process
Growth of Smooth, Low-Defect Germanium Layers on (111) Silicon via an Intermediate Islanding Process
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通过中间孤岛工艺在 (111) 硅上生长光滑、低缺陷的锗层
DOI：
10.1143/apex.5.071301
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发表时间：
2012
影响因子：
2.3
通讯作者：
Dobbie A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dobbie A
本文研究了在（111）-Si衬底上外延生长厚Ge层。我们证明了在薄的，部分弛豫的Ge种子层中的残余压应变可以被利用来促进中间岛化步骤，显著地降低了穿透位错密度（103 × 108 cm-2），并且几乎完全抑制了层错的形成。与（111）顶表面相比，在岛的113侧壁上的更高的Ge生长速率导致具有2nm的低rms表面粗糙度的平滑层。这些层在实现下一代高迁移率n沟道晶体管方面具有极其重要的潜力。
Epitaxial growth of thick Ge layers on a (111)-Si substrate has been investigated. We demonstrate that the residual compressive strain in a thin, partially relaxed Ge seed layer can be exploited to promote an intermediate islanding step, significantly reducing the threading dislocation density (∼ 3× 10 8 cm-2) and almost entirely suppressing stacking fault formation. The higher Ge growth rate on the 113 sidewalls of the islands compared to the (111) top surface results in a smooth layer with a low rms surface roughness of 2 nm. Such layers have the potential to be extremely important in realizing next-generation high-mobility n-channel transistors.
表面活性剂介导的硅上锗生长的进展：硅上高质量p型Ge薄膜
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Wietler;A. Ott;E. Bugiel;K. Hofmann
通讯作者：
K. Hofmann