THz intersubband electroluminescence from n-type Ge/SiGe quantum cascade structures
THz intersubband electroluminescence from n-type Ge/SiGe quantum cascade structures
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n 型 Ge/SiGe 量子级联结构的太赫兹子带间电致发光
DOI：
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
G. Scalari
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Stark;M. Mirza;L. Persichetti;M. Montanari;S. Markmann;M. Beck;T. Grange;S. Birner;M. Virgilio;C. Ciano;M. Ortolani;C. Corley;G. Capellini;L. Di Gaspare;M. De Seta;D. Paul;J. Faist;G. Scalari
我们报道了源自 n 型 Ge/Si0.15Ge0.85 量子级联结构中 L 谷跃迁的电致发光，中心频率为 3.4 和 4.9 THz，谱线展宽为 Δ f / f ≈ 0.2。研究了通过超高真空化学气相沉积在硅衬底上生长的三种应变补偿异质结构。该设计基于采用垂直光学跃迁的单量子阱有源区，并且通过非平衡格林函数计算很好地描述了观察到的光谱特征。两个峰的存在凸显了辐射跃迁上部状态的次优注入。与类似的 GaAs/AlGaAs 结构的电致发光光谱相比，发射效率降低了一个数量级。
We report electroluminescence originating from L-valley transitions in n-type Ge/Si0.15Ge0.85 quantum cascade structures centered at 3.4 and 4.9 THz with a line broadening of Δ f / f ≈ 0.2. Three strain-compensated heterostructures, grown on a Si substrate by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, have been investigated. The design is based on a single quantum well active region employing a vertical optical transition, and the observed spectral features are well described by non-equilibrium Green's function calculations. The presence of two peaks highlights a suboptimal injection in the upper state of the radiative transition. Comparison of the electroluminescence spectra with a similar GaAs/AlGaAs structure yields one order of magnitude lower emission efficiency.
影响因子：
7.4
作者：
Klocke, Jessica L.;Mangold, Markus;Kottke, Tilman
通讯作者：
Kottke, Tilman
影响因子：
4
作者：
Gallacher, K.;Velha, P.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.