Heavy Doping by Bromine to Improve the Thermoelectric Properties of n-type Polycrystalline SnSe.
Heavy Doping by Bromine to Improve the Thermoelectric Properties of n-type Polycrystalline SnSe.
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溴重掺杂改善n型多晶SnSe的热电性能
DOI：
10.1002/advs.201800598
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发表时间：
2018-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Q
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li S;Wang Y;Chen C;Li X;Xue W;Wang X;Zhang Z;Cao F;Sui J;Liu X;Zhang Q
单晶硒化锡（SnSe）因其优异的热电性能而受到广泛关注。然而，由于电学性能较差，多晶SnSe表现出令人不满意的性能指标，特别是对于n型SnSe。在这项工作中，在Se位点上高浓度的Br掺杂（6 - 12atm %）有效地将霍尔载流子浓度从未掺杂SnSe的1.6 × 1017 cm−3 （p型）增加到Br掺杂SnSe0.88Br0.12的1.3 × 1019 cm−3 （n型），导致电导率增加接近单晶。结合成分波动和位错增强声子散射导致的晶格热导率降低，在773 K处得到峰值ZT≈1.3，且SnSe0.9Br0.1沿热压方向平均ZT增强。
Single crystal tin selenide (SnSe) has attracted much attention for its excellent thermoelectric performance. However, polycrystalline SnSe exhibits unsatisfactory figure‐of‐merit due to the inferior electrical properties, especially for n‐type SnSe. In this work, a high concentration of Br doping (6–12 atm%) on the Se site effectively increases the Hall carrier concentration from 1.6 × 1017 cm−3 (p‐type) in undoped SnSe to 1.3 × 1019 cm−3 (n‐type) in Br‐doped SnSe0.88Br0.12, leading to an increased electrical conductivity close to that of a single crystal. Combined with the decreased lattice thermal conductivity due to the enhanced phonon scattering by composition fluctuation and dislocations, a peak ZT of ≈1.3 at 773 K, together with the enhanced average ZT is obtained in SnSe0.9Br0.1 along the hot pressing direction.
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影响因子：
41.2
作者：
Liu, Huili;Shi, Xun;Snyder, G. Jeffrey
通讯作者：
Snyder, G. Jeffrey
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64.8
作者：
Biswas, Kanishka;He, Jiaqing;Kanatzidis, Mercouri G.
通讯作者：
Kanatzidis, Mercouri G.
影响因子：
19.6
作者：
Li, C. W.;Hong, J.;Delaire, O.
通讯作者：
Delaire, O.
DOI：
10.1023/a:1008960305097
发表时间：
2000-02-01
影响因子：
2.8
作者：
Agarwal, A;Vashi, MN;Batra, NM
通讯作者：
Batra, NM
影响因子：
64.8
作者：
Zhao, Li-Dong;Lo, Shih-Han;Kanatzidis, Mercouri G.
通讯作者：
Kanatzidis, Mercouri G.