Enhanced flux pinning in MOD-YBCO films with co-doping of BaZrO3 and Y2O3 nanoparticles
Enhanced flux pinning in MOD-YBCO films with co-doping of BaZrO3 and Y2O3 nanoparticles
复制标题
BaZrO3 和 Y2O3 纳米粒子共掺杂增强 MOD-YBCO 薄膜中的通量钉扎
DOI：
10.1016/j.jallcom.2011.10.035
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发表时间：
2012-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
Cao, Jiangli
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ding, Fazhu;Gu, Hongwei;Zhang, Teng;Wang, Hongyan;Qu, Fei;Dai, Shaotao;Peng, Xingyu;Cao, Jiangli
采用三氟乙酸金属有机物沉积法（TFA-MOD）在YBa 2Cu 3 O 7 −x（YBCO）薄膜中制备了BaZrO 3（BZO）和Y2 O3纳米颗粒复合薄膜。完整纳米颗粒的形成提高了Y2 O3/BZO掺杂YBCO薄膜的临界电流密度（Jc），同时保持了接近纯YBCO薄膜的临界转变温度（Tc）。YBCO薄膜中掺杂浓度为7.0mol.% BZO和7.0mol.% Y_2O_3在自场（0 T，77 K）下的Tc值为90 K，Jc值为6.5mA/cm ~ 2。在较宽的磁场范围内，磁通钉扎的强烈增强可以归因于通过优化的TFA-MOD条件产生的BZO和Y2 O3的组合的不同晶体结构。
A combined BaZrO3(BZO) and Y2O3nanoparticles has been achieved in YBa2Cu3O7−x(YBCO) films by metalorganic deposition using trifluoroacetates (TFA-MOD). The formation of integrated nanoparticles increases the critical current density (Jc) of Y2O3/BZO doped-YBCO films while keeping the critical transition temperature (Tc) close to that in the pure YBCO films. The YBCO film with 7.0mol.% BZO and 7.0mol.% Y2O3showed Tcvalue of 90K and Jcvalue of 6.5mA/cm2at self-field (0T, 77K). The strongly enhanced flux pinning over a wide range of magnetic field can be attributed to the combined different crystal structures of BZO and Y2O3created by optimized TFA-MOD conditions.
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影响因子：
3.6
作者：
K. Develos-Bagarinao;H. Yamasaki
通讯作者：
K. Develos-Bagarinao;H. Yamasaki
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作者：
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Seung-yi Lee;S. Song;B. Kim;Jina Park;Ho-Jin Kim;G. Hong;H. Lee;S. H. Jang;J. Joo;
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C. Varanasi;J. Burke;L. Brunke;Haiyan Wang;M. Sumption;P. Barnes
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R. Emergo;F. Baca;J. Wu;T. Haugan;P. Barnes
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3.6
作者：
C. Varanasi;P. Barnes;J. Burke;L. Brunke;Iman Maartense;T. Haugan;E. Stinzianni;Kathleen Dunn
通讯作者：
C. Varanasi;P. Barnes;J. Burke;L. Brunke;Iman Maartense;T. Haugan;E. Stinzianni;Kathleen Dunn