AN IN-PLANE GAAS SINGLE-ELECTRON MEMORY CELL OPERATING AT 77 K
AN IN-PLANE GAAS SINGLE-ELECTRON MEMORY CELL OPERATING AT 77 K
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工作温度为 77 K 的面内 GAAS 单电子存储单元
DOI：
10.1063/1.123761
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
Ji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Yoo;Jong Wan Park;JinHee Kim;K. Park;Sangchul Oh;Jinju Lee;J. Kim;Jung;Ji
用掺硅砷化镓薄膜制备了工作在77k下的平面内单电子存储电池。该装置利用人工制造的浮动节点作为存储节点，并使用单电子静电计检测存储在浮动节点上的电荷。浮动节点的充电可以通过源极漏极电流的一个大峰来证明，这是控制栅极电压的函数，并且进一步通过峰值或阈值电压的离散移位来证实。
An in-plane single-electron memory cell operating at 77 K has been fabricated from a Si-doped thin GaAs film. This device utilizes an artificially fabricated floating node as a storage node and detects the charge stored on the floating node using a single-electron electrometer. Charging of the floating node is evidenced by a large peak in source–drain current as a function of control gate voltage, and is further confirmed by a discrete shift in the peak or threshold voltage.
影响因子：
56.9
作者：
Guo, LJ;Leobandung, E;Chou, SY
通讯作者：
Chou, SY