Response time of VSWR protection for GaN HEMT based power amplifiers
Response time of VSWR protection for GaN HEMT based power amplifiers
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基于 GaN HEMT 的功率放大器的 VSWR 保护的响应时间
DOI：
10.1109/eumc.2016.7824364
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Bengtsson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Preis;J. Ferretti;N. Wolff;A. Wiens;R. Jakoby;W. Heinrich;O. Bengtsson
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毫米波 GaN HEMT 的线性表征和优化
影响因子：
4.3
作者：
J. Qiu;A. Darwish;E. Viveiros;K. Kingkeo;H. A. Hung
通讯作者：
H. A. Hung
分立射频功率 MIM BST 厚膜变容二极管
DOI：
10.1109/eumc.2015.7345919
发表时间：
2015
期刊：
2015 European Microwave Conference (EuMC)
影响因子：
--
作者：
S. Preis;A. Wiens;D. Kienemund;D. Kendig;H. Maune;R. Jakoby;W. Heinrich;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson
VSWR 保护 90 W L 波段 AlGaN/GaN 功率放大器
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
Intelligent Memory Systems
影响因子：
--
作者：
M. van Heijningen;G. van der Bent;E. van der Houwen;A. Chowdhary;F. V. van Vliet
通讯作者：
F. V. van Vliet
使用 BST 元件对功率放大器进行 VSWR 保护
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
German Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
Jérôme Ferretti;S. Preis;W. Heinrich;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson
具有软斜率功率控制的 VSWR 保护硅双极射频功率放大器
影响因子：
5.4
作者：
A. Scuderi;L. Paglia;A. Scuderi;F. Carrara;G. Palmisano
通讯作者：
G. Palmisano