Nanopit generation on HOPG surface induced by CAFM electric lithography
Nanopit generation on HOPG surface induced by CAFM electric lithography
复制标题
CAFM电光刻诱导HOPG表面纳米坑的生成
DOI：
10.1504/ijnm.2012.048578
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发表时间：
2012-08
影响因子：
--
通讯作者：
Wansheng Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ye Yang;Wansheng Zhao
利用导电原子力显微镜（CAFM）光刻技术，在大气环境中，在不同电压幅值下制备了直径在几百纳米以下的纳米孔。通过导电探针测量AFM接触状态下的I-V曲线，进行了微坑光刻。坑图案是沿着I-V曲线测量过程在尖端下方的位置沿着产生的。通过比较不同偏压下形成的纳米孔的几何尺寸及其工艺电流的演变，研究了CAFM电点光刻的纳米加工现象，提出了在高压范围内，除了局部阳极氧化外，纳米尺度的电击穿是可能的机制。
Nanopits in the diameter of sub-hundred and hundreds of nanometres were generated under different voltage magnitudes by conductive atomic force microscope (CAFM) electric lithography method in ambient environment. The pit lithography was conducted through applying conductive probe to measure the I-V curve during AFM contact state. The pit patterns were generated at the position beneath the tip along the I-V curve measurement process. By comparing the geometry sizes of the formed nanopits and their process current evolution under different bias voltages, the nano-machining phenomenon of CAFM electric point lithography was studied and the nanoscale electrical breakdown was suggested as the possible mechanism besides the local anodic oxidation in the high voltage range.
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Launois, H
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作者：
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通讯作者：
T. Fang;T. Wang;K. Wu
影响因子：
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作者：
X. Xie;H. Chung;C. Sow;K. Adamiak;A. Wee
通讯作者：
X. Xie;H. Chung;C. Sow;K. Adamiak;A. Wee
DOI：
10.14711/thesis-b810881
发表时间：
2003
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Wei-hua Xu
通讯作者：
Wei-hua Xu
影响因子：
6.7
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通讯作者：
M. Hirano;K. Kawamura;H. Hosono